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2023-08-10 22:49:57 点击量：
”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（）、第三代半导体产业主办，西安大学高德娱乐、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会高德娱乐、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。 期间，天津工业大学副教授李龙女带来了《基于国产芯片的平面型封装1700V碳化硅模块开发与性能表征》的主题报告。 SiC/GaN器件具有低导通电阻高德娱乐高德娱乐、快速开关、高耐压、低开关损耗和高工作温度当前亟需针对SiC器件/模块的先进封装，需要创新低寄生/杂散阻抗、高散热效率的高可靠封装结构，以及高耐温 (> 200oC), 高导电性和高可靠的封装材料。 报告介绍了开发采用全烧结银互连和DBC的平面型封装SiC功率模块的研究成果，研究指出材料方面采用氮化铝基板和烧结银垫块的封装结构，可明显降低双面封装结构整体应力，有利于提高模块可靠性。 封装结构方面采用模块-C间隔排布MOS芯片和二极管方式，最高结温更低，且各芯片间的温度差异更小，且寄生电感较小平面设计，更有利于保持模块性能。基于课题组低温纳米银烧结工艺，制备基于国产芯片的平面型封装1700V碳化硅半桥模块，模块整体厚度约5 mm。 通过测试，各栅源电压下栅源漏电流均很小。70A输出时，漏源导通压降为１.６V，与芯片I-Ｖ曲线一致，表明封装过程寄生阻抗低，双面互连也未引起芯片预损伤和老化退化。 材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕平面设计。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！ 的肖特基二极管采用特有的嵌入式结构，反向漏电流比传统结构低3个数量级，更利于高温环境下工作，抗浪涌电流能力强，正向压降低，各项 是将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性相结合，能满足多功能特性及设计要求，具有高导热、低膨胀、高刚度、低密度、低成本等综合优异 面积仅为 TO-247 单管大小，极大地减小了驱动回路和功率回路的寄生电感参数高德娱乐。阿肯色 MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse 版本 / 、器件和应用》 / 、器件和应用》 / 小疆智控EtherCAT转PROFINET连接零差云控驱动器接入Profinet网络
